失效分析簡(jiǎn)介


            儀準(zhǔn)科技(北京)有限公司專(zhuān)注于手動(dòng)探針臺(tái),probe,station等

          • 詞條

            詞條說(shuō)明

          • 透視半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備:芯片良率的捍衛(wèi)者

            透視半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備:芯片良率的捍衛(wèi)者 從兩起并購(gòu)說(shuō)起 2018年3月,美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備制造商KLA-Tencor花34億美元現(xiàn)金加股票鯨吞了以色列半導(dǎo)體設(shè)備制造商奧寶科技。 無(wú)*有偶,兩個(gè)月后,先前向美國(guó)外國(guó)投資**(CFIUS)打小報(bào)告的美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)科休(Cohu)宣布將以7.96億美元現(xiàn)金加股票收購(gòu)Xcerra。 這兩起并購(gòu)都發(fā)生在半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域,引起了各方的高度關(guān)注。本次就讓我們窺探半

          • 半導(dǎo)體材料SiC和GaN

            寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN 的研究現(xiàn)狀 **代半導(dǎo)體材料一般是指硅(Si)元素和鍺(Ge)元素,其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。*二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)、砷化銦(InAs)、砷化鋁(AlAs)及其合金化合物等,其奠定了20 世紀(jì)信息光電產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。*三代寬禁帶半導(dǎo)體材料一般是指氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化鋁(

          • 微納加工應(yīng)用

            聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹:FIB(聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam)是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過(guò)離子槍加速,聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號(hào)**電子像,此功能與SEM(掃描電子顯微鏡)相似,或用強(qiáng)電流離子束對(duì)表面原子進(jìn)行剝離,以完成微、納米級(jí)表面形貌加工。 服務(wù)范圍:工業(yè)和理論材料研究,半導(dǎo)體,數(shù)據(jù)存儲(chǔ),自然資源等領(lǐng)域 服務(wù)內(nèi)容:1.芯片電路修改

          • 失效案例分析EOS靜電擊穿

            作為研發(fā)較怕遇到的事情之一就是芯片失效的問(wèn)題,好端端的芯片突然異常不能正常工作了,很多時(shí)候想盡辦法卻想不出問(wèn)題在哪。的確,芯片失效是一個(gè)非常讓人頭疼的問(wèn)題,它可能發(fā)生在研發(fā)初期,可能發(fā)生在生產(chǎn)過(guò)程中,還有可能發(fā)生在終端客戶(hù)的使用過(guò)程中。造成的影響有時(shí)候也非常巨大。 芯片失效的原因多種多樣,并且它的發(fā)生也無(wú)明顯的規(guī)律可循。那么有沒(méi)有一些辦法來(lái)預(yù)防芯片失效的發(fā)生呢?這里會(huì)通過(guò)案例來(lái)思考下可以通過(guò)哪些方

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