詞條
詞條說(shuō)明
《晶柱成長(zhǎng)制程》 硅晶柱的長(zhǎng)成,首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中,并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì),使產(chǎn)生出來(lái)的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì),接著需要將所有物質(zhì)融化后再長(zhǎng)成單晶的硅晶柱,以下將對(duì)所有晶柱長(zhǎng)成制程做介紹。 長(zhǎng)晶主要程序︰ 融化(MeltDown) 此過(guò)程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上,此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng),若使用較大的功率來(lái)
PCB出口難轉(zhuǎn)向挖掘國(guó)內(nèi)市場(chǎng)
熬過(guò)了國(guó)內(nèi)疫情的難關(guān),再臨**疫情“失控”,對(duì)于國(guó)內(nèi)逐步復(fù)工復(fù)產(chǎn)的PCB產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō),出口業(yè)務(wù)正遭遇著至暗時(shí)刻。 眾所周知,PCB作為電子信息產(chǎn)品制造的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè),原本受宏觀經(jīng)濟(jì)周期波動(dòng)的影響較大;此次,較因海外疫情告急,短期內(nèi)或使**PCB產(chǎn)值受一定影響。 特別是中國(guó)作為**PCB產(chǎn)值**50%的國(guó)家,以出口業(yè)務(wù)為主的PCB廠商不在少數(shù),基于海外多國(guó)的封城封國(guó)舉措,國(guó)內(nèi)PCB廠商也正面臨著訂單流失、交付
如何確認(rèn)顯微鏡的放大倍率 很多實(shí)驗(yàn)室都在使用顯微鏡,但對(duì)顯微鏡的相關(guān)專(zhuān)業(yè)知識(shí)并不了解,只是知道怎么去操作,但對(duì)于一些基本常識(shí)可能都不怎么清楚,那么今天我們就來(lái)講講有關(guān)顯微鏡的放大倍率是如何計(jì)算的? 也許有人會(huì)說(shuō)這不是很簡(jiǎn)單的問(wèn)題嘛,但實(shí)際還是有點(diǎn)小復(fù)雜的。 首先我們來(lái)舉個(gè)例子來(lái)說(shuō):當(dāng)體視顯微鏡目鏡的倍率為10倍,變倍體變倍范圍是:0.7X-4.5X,附加物鏡為:2X。那它的光學(xué)放大倍率為:10乘0
寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN 的研究現(xiàn)狀 **代半導(dǎo)體材料一般是指硅(Si)元素和鍺(Ge)元素,其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。*二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)、砷化銦(InAs)、砷化鋁(AlAs)及其合金化合物等,其奠定了20 世紀(jì)信息光電產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。*三代寬禁帶半導(dǎo)體材料一般是指氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化鋁(
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝
開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線
聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡
IV曲線測(cè)試開(kāi)短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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