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晶圓代工迎來新的黃金期 近期,以臺積電為代表的幾大晶圓代工廠備受關注,原因在于它們2020年**季度的財報。與各大IDM和Fabless**和*二季度低迷的財報或財測不同,臺積電、聯電和中芯**這三大晶圓代工廠的業績十分亮眼,與當下疫情給半導體產業帶來的負面影響形成了鮮明的對比。看來,晶圓代工(Foundry)這種商業模式確有其過人之處。 2019年10月,DIGITIMES Research預估
失效分析fib 1.IC芯片電路修改 用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設計者對芯片問題處作針對性的測試,以便較快較準確的驗證設計方案。 若芯片部份區域有問題,可通過FIB對此區域隔離或改正此區域功能,以便找到問題的癥結。 FIB還能在較終產品量產之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設計方案修改次數,縮短研發時間和周期。 2.Cro
《晶柱成長制程》 硅晶柱的長成,首先需要將純度相當高的硅礦放入熔爐中,并加入預先設定好的金屬物質,使產生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質,接著需要將所有物質融化后再長成單晶的硅晶柱,以下將對所有晶柱長成制程做介紹。 長晶主要程序︰ 融化(MeltDown) 此過程是將置放于石英坩鍋內的塊狀復晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上,此階段中較重要的參數為坩鍋的位置與熱量的供應,若使用較大的功率來
聚焦離子束FIB詳解 1.引言 隨著納米科技的發展,納米尺度制造業發展*,而納米加工就是納米制造業的**部分,納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發展起來的聚焦離子束(FIB)技術利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工,配合掃描電鏡(SEM)等高倍數電子顯微鏡實時觀察,成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應用于半導體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed
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