半導體進入2納米時代

時間：2020-04-29

作者：儀準科技（北京）有限公司

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透視半導體測試設備：芯片良率的捍衛者
透視半導體測試設備：芯片良率的捍衛者從兩起并購說起 2018年3月，美國半導體設備制造商KLA-Tencor花34億美元現金加股票鯨吞了以色列半導體設備制造商奧寶科技。無*有偶，兩個月后，先前向美國外國投資**（CFIUS）打小報告的美國半導體企業科休（Cohu）宣布將以7.96億美元現金加股票收購Xcerra。這兩起并購都發生在半導體測試設備領域，引起了各方的高度關注。本次就讓我們窺探半
微電子失效分析方法總結
微電子失效分析方法總結失效分析趙工 1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內部的晶格結構，雜質顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X－Ray（這兩者是芯片發生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein 微焦點Xray用途：半導體BGA，線路板等內部位移的分析；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數：標準檢測分
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離
失效案例分析EOS靜電擊穿
作為研發較怕遇到的事情之一就是芯片失效的問題，好端端的芯片突然異常不能正常工作了，很多時候想盡辦法卻想不出問題在哪。的確，芯片失效是一個非常讓人頭疼的問題，它可能發生在研發初期，可能發生在生產過程中，還有可能發生在終端客戶的使用過程中。造成的影響有時候也非常巨大。芯片失效的原因多種多樣，并且它的發生也無明顯的規律可循。那么有沒有一些辦法來預防芯片失效的發生呢？這里會通過案例來思考下可以通過哪些方