超聲波掃描顯微鏡測(cè)試流程

時(shí)間：2020-09-18作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：112

儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司專注于手動(dòng)探針臺(tái),probe,station等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 集成電路的2020年發(fā)展趨勢(shì)

  集成電路的2020年發(fā)展趨勢(shì) 據(jù)了解，2019年由于受世界經(jīng)濟(jì)發(fā)展的增速減緩、整機(jī)廠商的去庫(kù)存化等綜合因素的干擾，**半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)普遍處于下滑態(tài)勢(shì)。 作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)里的關(guān)鍵產(chǎn)品之一，集成電路領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì)備受關(guān)注。 集成電路(integratedcircuit)是一種微型電子器件或部件。縮寫為IC；采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半

• 半導(dǎo)體進(jìn)入2納米時(shí)代

  半導(dǎo)體進(jìn)入2納米時(shí)代 推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步有兩個(gè)輪子，一個(gè)是尺寸縮小，另一個(gè)是硅片直徑增大，顯然尺寸縮小是主力，因?yàn)楣杵睆皆龃笊婕罢麠l生產(chǎn)線設(shè)備的更換。 現(xiàn)階段除了尺寸繼續(xù)縮小之外，利用成熟制程的特色工藝及*三代半導(dǎo)體等正風(fēng)生水起，將開辟定律的另一片新的天地。 臺(tái)積電正討論在美國(guó)開建2納米工廠事項(xiàng)，目前的態(tài)勢(shì)分析這個(gè)決定不好下，因?yàn)槭袌?chǎng)與投資（可能約500億美元）兩個(gè)都是關(guān)鍵因素。 據(jù)閩臺(tái)地區(qū)《經(jīng)濟(jì)

• 芯片失效分析方法

  1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無(wú)損檢查:１.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國(guó) 2 、X－Ray（這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國(guó)Fein 微焦點(diǎn)Xray用途：半導(dǎo)體BGA，線路板等內(nèi)部位移的分析 ；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數(shù)：標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)分辨率＜500納米 ；幾何放大倍數(shù): 2

• 半導(dǎo)體芯片失效分析

  半導(dǎo)體芯片失效分析 芯片在設(shè)計(jì)生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效，失效分析伴隨芯片全流程。 這里根據(jù)北軟檢測(cè)失效分析實(shí)驗(yàn)室經(jīng)驗(yàn)，為大家總結(jié)了失效分析方法和分析流程，供大家參考。 一、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，屬于無(wú)損檢查: 檢測(cè)內(nèi)容包含： 1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內(nèi)部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。 二、 X－Ray（X光檢測(cè)），屬于無(wú)損檢查: X-Ra