產業*解讀功率半導體行業

時間：2020-04-10作者：儀準科技（北京）有限公司瀏覽：134

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  詞條說明

• FIB/SEM/EDX技術指標

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標 一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離

• 失效分析項目介紹

  作為研發較怕遇到的事情之一就是芯片失效的問題，好端端的芯片突然異常不能正常工作了，很多時候想盡辦法卻想不出問題在哪。的確，芯片失效是一個非常讓人頭疼的問題，它可能發生在研發初期，可能發生在生產過程中，還有可能發生在終端客戶的使用過程中。造成的影響有時候也非常巨大。 作為各種元器件的載體與電路信號傳輸的樞紐，PCB已經成為電子信息產品的較為重要而關鍵的部分，其質量的好壞與可靠性水平決定了整機設備的質

• 顯微鏡測試倍數計算

  如何確認顯微鏡的放大倍率 很多實驗室都在使用顯微鏡，但對顯微鏡的相關專業知識并不了解，只是知道怎么去操作，但對于一些基本常識可能都不怎么清楚，那么今天我們就來講講有關顯微鏡的放大倍率是如何計算的？ 也許有人會說這不是很簡單的問題嘛，但實際還是有點小復雜的。 首先我們來舉個例子來說：當體視顯微鏡目鏡的倍率為10倍，變倍體變倍范圍是：0.7X-4.5X，附加物鏡為：2X。那它的光學放大倍率為：10乘0

• 聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標 一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離