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聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標 一、技術指標 1、電子束電流范圍:1 pA - 400 nA; 2、電子束電壓:200eV-30 keV,具有減速模式 3、電子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒; 5、離子束加速電壓500V-30kV(分辨率:3.0 nm); 6、離
莊子有言:“一日之錘日取其半,萬世不竭”。這句話的意思是指一尺的東西今天取其一半,明天取其一半的一半,后天再取其一半的一半的一半,總有一半留下,所以永遠也取不盡,這體現了物質是無限可分的思想。魏少軍教授講到,半導體和芯片的發展,恰好就是按照這樣一半一半的往下縮小,而且縮小的過程到現在為止還沒有停止。 但是,縮小過程當中必須按照某種規則來進行,也就是要按照規矩,沒有規矩,那就不能成方圓。這就印證了孟
X光無損檢測 祝大家新年快樂,2020年注定是不平凡的一年,在艱難中開始,感恩奮戰在抗疫*的白衣天使,感恩提供**的各級**,感恩社會各界的愛心人士,目前我們對社會較好的回報就是做好本職工作,隔離好自己和身邊的人,多做事,少走動。 新新冠狀病毒的到來,讓很多原本的計劃被打亂被改動,目前北方市場急需完善的第三方實驗室,專業的技術,成套的檢測設備,為滿足用戶檢測多樣化,就近服務的要求,我中心專門安裝
聚焦離子束FIB詳解 1.引言 隨著納米科技的發展,納米尺度制造業發展*,而納米加工就是納米制造業的**部分,納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發展起來的聚焦離子束(FIB)技術利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工,配合掃描電鏡(SEM)等高倍數電子顯微鏡實時觀察,成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應用于半導體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed
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